超純水設(shè)備中EDI膜塊的進水條件降低了膜塊堵塞的機會。但是，隨著設(shè)備運行時間的延長，EDI膜堵塞水通道仍可能被堵塞，這主要是因為EDI水入口中有更多的溶質(zhì)，在濃水室中形成鹽沉淀。

如果進水中含有大量的鈣和鎂離子（硬度超過0.8ppm）、CO2和較高的PH值，則沉淀速度將加快。在這種情況下，我們可以通過化學(xué)清洗來清洗超純水反滲透設(shè)備的EDI膜塊，以恢復(fù)其原有的技術(shù)特性。

一般可以從以下幾個方面來判斷：

1.在進水溫度和流量不變的情況下，濃水入口側(cè)與濃水出口側(cè)的壓差比原始數(shù)據(jù)高45%；

2.在進水溫度和流量不變的情況下，進口側(cè)與生產(chǎn)側(cè)的壓差比原始數(shù)據(jù)高45%；

3、在進水溫度和流量不變的情況下，濃水排放流量減少35%；

4.在進水溫度、流速和電導(dǎo)率不變的情況下，采出水的質(zhì)量（電阻率）降低。

超純水反滲透設(shè)備膜堵塞的原因主要有以下幾種形式：

1.無機污染和堵塞；

2.顆粒/膠體污垢；

3.微生物污染；

4.有機物被污染和堵塞。

超純水反滲透設(shè)備的EDI清洗注意：

清潔前，選擇合適的化學(xué)試劑并熟悉操作程序。切勿在未切斷組件電源的情況下進行化學(xué)清洗。